IR (INFRARED MICROSCOPE)

더 얇고 더 작은 전자 부품에 대한 요구는, 제품을 온전한 상태로 내부 검사를 수행하는 것의 중요성을 증대시켰습니다.
근적외선 현미경은 SiP (System in Package), stacked package, and CSP (Chip Size Package)를 포함하여 비파괴 검사로 가시광선으로는 볼 수 없는 부분을 분석할 수 있습니다.

FLIP CHIP 관찰 분석

Flip chip bonding 의 경우, bonding 섹션 및 패턴은 일반적인 광학현미경을 사용하여 패키징 후에는 관찰 할 수 없습니다.하지만, 근적외선 현미경을 사용하면 패키징 후에 실리콘의 특성에 의해 IC 칩의 비파괴 내부 관찰이 가능합니다. 이 기술은 플립 칩 패키지의 고장 분석을 간편하게 하고 또한 FIB (Focused Ion Beam)를 처리하는 위치를 식별하는 효과가있다.

웨이퍼 레벨 CSP의 환경에 대한 테스트로 인한 칩 손상

웨이퍼 레벨 CSP의 비파괴 검사는 테스트 도중에 열 또는 습기로 인한 변경 사항을 감지합니다. 또한, 융합 또는 구리 배선의 부식에 의한 누출과 수지의 peeling은 명확하게 볼 수 있습니다.

SILICON GAP의 측정

적외선으로 실리콘을 투과하여 CHIP과 INTERPOSER에 각각 포커스를 맞췄을 때,

 대물 렌즈의 이동량에서 3 차원 구현 수있는 칩 간격을 비파괴로 측정할 수 있다.

같은 방법으로 MEMS의 the hollow construction(中空構造)등의 측정에도 이용할 수 있다

WAFER GRINDING

웨이퍼 연마량 측정

디바이스의 박형 화에 수반해, 웨이퍼의 백 그라인드량의 측정 욕구가 높아지고 있다.

그러나, 붙여 맞댐 웨이퍼는 웨이퍼 그라인드의 행정에 있어서, 웨이퍼 양면의 그라인드량을 측정하는 것은 상당히 어려운 일이다.

적외선 현미경은, 웨이퍼 표면과 이면에 각각 초점을 맞출 수 있기 때문에,  대물렌즈의 Z축 이동량에 따라서 연마량을 측정 할 수 있다.

아래의 장비로 IR을 구성 할 수 있습니다. (CONFOCAL - LEXT는 생략함)

150200 mm웨이퍼에 대응

반도체 검사를 효율화하는 뛰어난 조작성
전동 리볼버로 대물렌즈를 다이렉트로 변경
SEMI S2/S8에 준거, 높은 안전성과 인간공학성을 확보

투과 적외선 현미경 관찰도 가능한, 범용적인 스탠다드 타입
세계 최고 레벨의 외관에, 더욱 견고해진 UIS 광학계 시스템
인체공학적으로 더욱 진화시킨 Y세이프 디자인

특정 장비의 내장에 최적인 소형 명시야 낙사조명 투광관 U-KMAS를 채택

전동 리볼버나 100W할로겐 조명, TH4-100 등 외부로부터의 제어가 가능한 유닛
대물렌즈와 결상 렌즈의 거리를 바꾸어도 배율의 변화나 상의 열화가 없는 UIS 광학계 시스템

컴팩트한 디자인